1,igbt属于什么控制型器件 igbt属于电压控制型器件――电压控制电流。
2,igbt属于什么控制型器件igbt的内部结构是 igbt属于电压控制型器件――电压控制电流。MOS管与BJT复合。
3,电磁炉中的IGBTH20R1202和H15R1203的区别是什么 电流不一样! 一个是20A。一个是15A
4,IGBT是电压型还是电流型器件GTR呢 igbt 电压型gtr 电流 没看懂什么意思?
5,igbt是什么了 IGBT在电磁炉里是高频振荡管,它是和涡流线圈共同作用产生震动磁场,使食物分子相互间摩擦从而产生热量使食物加热熟~!IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 IGBT是一种功率晶体,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。
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